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电子元器件详细资料 » IC[28096] » SIA517DJ-T1-GE3
型号:SIA517DJ-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SC-70-6 双描述:MOSFET N/P-CH D-S 12V SC-70-6

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH D-S 12V SC-70-6
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C29 毫欧 @ 5A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs15nC @ 8V
输入电容(Ciss)0a0Vds500pF @ 6V
功率_最大6.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装PowerPAK? SC-70-6 双
包装带卷 (TR)

供应商

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SIA517DJ-T1-GE3相关型号

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